NVB6413AN datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVB6413AN 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 84 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NVB6413AN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVB6413AN даташит
ntb6413an ntp6413an nvb6413an.pdf
NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 42 A, 28 mW www.onsemi.com Features Low RDS(on) ID MAX High Current Capability V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) 100% Avalanche Tested 100 V 28 mW @ 10 V 42 A NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable N-C
nvb6413an.pdf
NTB6413AN, NTP6413AN, NVB6413AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 28 mW @ 10 V 42 A Qualified and PPAP Capable These
nvb6412an.pdf
NTB6412AN, NTP6412AN, NVB6412AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested ID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 18.2 mW @ 10 V 58 A Qualified and PPAP Capable Th
nvb6410an.pdf
NTB6410AN, NTP6410AN, NVB6410AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 mW Features www.onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 13 mW @ 10 V 76 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable N-Channel
Другие IGBT... NVB5404N, NVB5426N, NVB5860N, NVB5860NL, NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, AO3407, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, NVD3055-150, NVD3055L170, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N
History: NVB60N06
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20







