Справочник MOSFET. NVB6413AN

 

NVB6413AN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVB6413AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVB6413AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  onsemi
 ntb6413an ntp6413an nvb6413an.pdf pdf_icon

NVB6413AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANMOSFET Power,N-Channel100 V, 42 A, 28 mWwww.onsemi.comFeatures Low RDS(on)ID MAX High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) 100% Avalanche Tested100 V 28 mW @ 10 V 42 A NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-C

 ..2. Size:75K  onsemi
 nvb6413an.pdf pdf_icon

NVB6413AN

NTB6413AN, NTP6413AN,NVB6413ANN-Channel Power MOSFET100 V, 42 A, 28 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 28 mW @ 10 V 42 AQualified and PPAP Capable These

 8.1. Size:77K  onsemi
 nvb6412an.pdf pdf_icon

NVB6413AN

NTB6412AN, NTP6412AN,NVB6412ANN-Channel Power MOSFET100 V, 58 A, 18.2 mWFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche TestedID MAX NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101100 V 18.2 mW @ 10 V 58 AQualified and PPAP Capable Th

 8.2. Size:77K  onsemi
 nvb6410an.pdf pdf_icon

NVB6413AN

NTB6410AN, NTP6410AN,NVB6410ANN-Channel Power MOSFET100 V, 76 A, 13 mWFeatureswww.onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityID MAX 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1) NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring100 V 13 mW @ 10 V 76 AUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP CapableN-Channel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO6402A | LR024N | IXFH9N80Q | NTP2955 | FDB8445 | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.