NVD3055-150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD3055-150  📄📄 

Маркировка: 3150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 37.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD3055-150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD3055-150 даташит

 ..1. Size:123K  onsemi
 ntd3055-150 nvd3055-150.pdf pdf_icon

NVD3055-150

NTD3055-150, NVD3055-150 Power MOSFET 9.0 A, 60 V, N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge www.onsemi.com circuits. 9.0 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 122 mW (Typ) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change Requirements

 ..2. Size:103K  onsemi
 nvd3055-150.pdf pdf_icon

NVD3055-150

NTD3055-150, NVD3055-150 Power MOSFET 9.0 A, 60 V, N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge http //onsemi.com circuits. 9.0 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 122 mW (Typ) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change Requireme

 6.1. Size:112K  onsemi
 nvd3055-094.pdf pdf_icon

NVD3055-150

NTD3055-094, NVD3055-094 Power MOSFET 12 A, 60 V, N-Channel DPAK/IPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features http //onsemi.com Lower RDS(on) Lower VDS(on) V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower and Tighter VSD 60 V 94 mW 12 A Lower Diode Reverse Recovery Time Low

 6.2. Size:146K  onsemi
 ntd3055-094 nvd3055-094.pdf pdf_icon

NVD3055-150

NTD3055-094, NVD3055-094 MOSFET Power, N-Channel, DPAK/IPAK 12 A, 60 V Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Lower RDS(on) Lower VDS(on) 60 V 94 mW 12 A Lower and Tighter VSD Lower Diode Reverse Recovery Time D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVB60N06, NVB6410AN, NVB6411AN, NVB6412AN, NVB6413AN, NVD14N03R, NVD20N03L27, NVD3055-094, IRF2807, NVD3055L170, NVD4804N, NVD4805N, NVD4806N, NVD4808N, NVD4809N, NVD4810N, NVD4813NH