NVD5484NL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NVD5484NL
Маркировка: 5484NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 160 ns
Выходная емкость (Cd): 315 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
Тип корпуса: DPAK
NVD5484NL Datasheet (PDF)
nvd5484nl.pdf
NVD5484NLPower MOSFET60 V, 17 mW, 54 A, Single N-ChannelLogic Level, DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com High Current Capability Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) ID AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 17 mW @ 10 V60 V 54 ACompliant23 mW @ 4.5 V
nvd5414n.pdf
NTD5414N, NVD5414NPower MOSFET24 A, 60 V Single N-Channel DPAKFeatures Low RDS(on) High Current Capability http://onsemi.com Avalanche Energy SpecifiedID MAX NVD Prefix for Automotive and Other Applications RequiringV(BR)DSS RDS(ON) MAX (Note 1)Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101Qualified and PPAP Capable60 V 37 mW @ 10 V 24 A These Dev
nvd5490nl.pdf
NVD5490NLPower MOSFET60 V, 64 mW, 17 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capabilityhttp://onsemi.com Avalanche Energy Specified AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS64 mW @ 10 VCompliant60 V 17 A85 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATINGS (T
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
