NVD5806N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD5806N

Маркировка: 5806N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 93.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD5806N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5806N даташит

 ..1. Size:99K  onsemi
 nvd5806n.pdf pdf_icon

NVD5806N

 8.1. Size:71K  onsemi
 nvd5807n.pdf pdf_icon

NVD5806N

 8.2. Size:133K  onsemi
 nvd5805n.pdf pdf_icon

NVD5806N

NTD5805N, NVD5805N Power MOSFET 40 V, 51 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com Avalanche Energy Specified NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 16 mW @ 5.0 V Qualified and PPAP Capable 40 V 51 A These Devices

 8.3. Size:98K  onsemi
 nvd5802n.pdf pdf_icon

NVD5806N

NTD5802N, NVD5802N Power MOSFET 40 V, Single N-Channel, 101 A DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses MSL 1/260 C V(BR)DSS RDS(on) ID 100% Avalanche Tested 4.4 mW @ 10 V 101 A NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVD4856N, NVD4C05N, NVD5117PL, NVD5414N, NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, IRFB7545, NVD5807N, NVD5890NL, NVD5890NT4G, NVD6414AN, NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL