Справочник MOSFET. PHD10N10E

 

PHD10N10E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHD10N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT428

 Аналог (замена) для PHD10N10E

 

 

PHD10N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
phd10n10e 1.pdf

PHD10N10E PHD10N10E

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor PHD10N10E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suuitable for VDS Drain-source voltage 100 Vsurface mounting. The device is ID Drain current (DC) 11 Aintended for use in Switched Mode Ptot Total power dissipation

 9.1. Size:94K  philips
phb108nq03lt phd108nq03lt phu108nq03lt.pdf

PHD10N10E PHD10N10E

PHB/PHD/PHU108NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 18 April 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Lead-free construction Low gate charge1.3 Applicati

 9.2. Size:253K  philips
phb108nq03lt phd108nq03lt php108nq03lt.pdf

PHD10N10E PHD10N10E

PHP/PHB/PHD108NQ03LTTrenchMOS logic level FETRev. 02 11 September 2002 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHP108NQ03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB108NQ03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD108NQ03LT in SOT428 (D-PAK).1.2 Features Logic level compatibl

 9.3. Size:773K  nxp
phd101nq03lt.pdf

PHD10N10E PHD10N10E

PHD101NQ03LTN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 5 31 October 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feature

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top