Справочник MOSFET. NVD5890NL

 

NVD5890NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVD5890NL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NVD5890NL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5890NL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
nvd5890nl.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890NLPower MOSFET40 V, 3.7 mW, 123 A, Single N-ChannelDPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com MSL 1 @ 260C 100% Avalanche TestedV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC Q101 Qualified and PPAP Capable3.7 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS40 V123 ACompliant5.5 mW @ 4.5 VMAXIMUM RATI

 6.1. Size:116K  onsemi
nvd5890n.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890NPower MOSFET40 V, 123 A, Single N-Channel DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260Chttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant40 V 3.7 mW @ 10 V 123 AApplications Motor DriversD Pump Drive

 6.2. Size:106K  onsemi
nvd5890nt4g.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890NPower MOSFET40 V, 123 A, Single N-Channel DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260Chttp://onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant40 V 3.7 mW @ 10 V 123 AApplications Motor DriversD Pump Drive

 9.1. Size:135K  onsemi
nvd5863nl.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5863NLPower MOSFET60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specifiedhttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSV(BR)DSS RDS(on) IDCompliant7.1 mW @ 10 V60 V 82 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise not

Другие MOSFET... NVD5117PL , NVD5414N , NVD5484NL , NVD5490NL , NVD5802N , NVD5805N , NVD5806N , NVD5807N , IRF9640 , NVD5890NT4G , NVD6414AN , NVD6415AN , NVD6416AN , NVD6416ANL , NVD6495NL , NVD6820NL , NVD6824NL .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A | BUK9M53-60E | AS2305 | TSM40N03PQ56

 

 
Back to Top

 


 
.