NVD5890NL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD5890NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD5890NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD5890NL даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
nvd5890nl.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890NL Power MOSFET 40 V, 3.7 mW, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com MSL 1 @ 260 C 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 3.7 mW @ 10 V These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 40 V 123 A Compliant 5.5 mW @ 4.5 V MAXIMUM RATI

 6.1. Size:116K  onsemi
nvd5890n.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890N Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260 C http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 40 V 3.7 mW @ 10 V 123 A Applications Motor Drivers D Pump Drive

 6.2. Size:106K  onsemi
nvd5890nt4g.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5890N Power MOSFET 40 V, 123 A, Single N-Channel DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses MSL 1/260 C http //onsemi.com AEC Q101 Qualified and PPAP Capable 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 40 V 3.7 mW @ 10 V 123 A Applications Motor Drivers D Pump Drive

 9.1. Size:135K  onsemi
nvd5863nl.pdfpdf_icon

NVD5890NL

NVD5863NL Power MOSFET 60 V, 7.1 mW, 82 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses High Current Capability Avalanche Energy Specified http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS V(BR)DSS RDS(on) ID Compliant 7.1 mW @ 10 V 60 V 82 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise not

Другие IGBT... NVD5117PL, NVD5414N, NVD5484NL, NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, K2611, NVD5890NT4G, NVD6414AN, NVD6415AN, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL