NVD6415AN datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: NVD6415AN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NVD6415AN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
NVD6415AN даташит
nvd6415an.pdf
NTD6415AN, NVD6415AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 55 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ID MAX V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 100 V 55 mW @ 10 V 23 A These Devices
ntd6415anl nvd6415anl.pdf
NTD6415ANL, NVD6415ANL N-Channel Power MOSFET 100 V, 23 A, 56 mW, Logic Level Features Low RDS(on) www.onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 56 mW @ 4.5 V 100 V 23 A These Devices are Pb-Free and are RoHS
ntd6416an nvd6416an.pdf
NTD6416AN, NVD6416AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De
ntd6414an nvd6414an.pdf
NTD6414AN, NVD6414AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 32 A, 37 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 37 mW @ 10 V 32 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De
Другие IGBT... NVD5490NL, NVD5802N, NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, NVD5890NL, NVD5890NT4G, NVD6414AN, MMIS60R580P, NVD6416AN, NVD6416ANL, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL, NVE4153N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136








