NVD6416ANL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVD6416ANL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NVD6416ANL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD6416ANL даташит

 ..1. Size:79K  onsemi
 ntd6416anl nvd6416anl.pdf pdf_icon

NVD6416ANL

NTD6416ANL, NVD6416ANL N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mW Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 74 mW @ 10 V 19 A Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free

 ..2. Size:99K  onsemi
 nvd6416anl.pdf pdf_icon

NVD6416ANL

NTD6416ANL, NVD6416ANL N-Channel Power MOSFET 100 V, 19 A, 74 mW Features Low RDS(on) http //onsemi.com High Current Capability 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 100 V 74 mW @ 10 V 19 A Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-F

 5.1. Size:129K  onsemi
 ntd6416an nvd6416an.pdf pdf_icon

NVD6416ANL

NTD6416AN, NVD6416AN MOSFET Power, N-Channel 100 V, 17 A, 81 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability ID MAX 100% Avalanche Tested V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 100 V 81 mW @ 10 V 17 A Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable These De

 5.2. Size:98K  onsemi
 nvd6416an.pdf pdf_icon

NVD6416ANL

NTD6416AN, NVD6416AN N-Channel Power MOSFET 100 V, 17 A, 81 mW Features Low RDS(on) High Current Capability http //onsemi.com 100% Avalanche Tested NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring ID MAX Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 V(BR)DSS RDS(on) MAX (Note 1) Qualified and PPAP Capable 100 V 81 mW @ 10 V 17 A These Devices a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVD5805N, NVD5806N, NVD5807N, NVD5890NL, NVD5890NT4G, NVD6414AN, NVD6415AN, NVD6416AN, AO4407A, NVD6495NL, NVD6820NL, NVD6824NL, NVD6828NL, NVDD5894NL, NVE4153N, NVF2201N, NVF2955