NVGS3130N - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NVGS3130N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 169 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP-6
NVGS3130N технические параметры
nvgs3130n.pdf
NTGS3130N, NVGS3130N Power MOSFET 20 V, 5.6 A Single N-Channel, TSOP-6 Features Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance http //onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Size (3 x 2.75 mm) TSOP-6 Package V(BR)DSS RDS(on) mAX ID Max NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 24 mW @ 4.5 V 5.6 A Site and Control Change Requir
nvgs3136p.pdf
NTGS3136P, NVGS3136P Power MOSFET -20 V, -5.8 A, Single P-Channel, TSOP-6 Features Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating www.onsemi.com Fast Switching NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and 25 mW @ -4.5 V -5.1 A PPAP Capable -20 V 32 mW @ -2.5
ntgs3136p nvgs3136p.pdf
NTGS3136P, NVGS3136P MOSFET Power, Single, P-Channel, TSOP-6 -20 V, -5.8 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) in TSOP-6 Package 1.8 V Gate Rating V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Switching 25 mW @ -4.5 V -5.1 A NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique -20 V 32 mW @ -2.5 V -4.5 A Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified an
ntgs3441t1 nvgs3441.pdf
NTGS3441, NVGS3441 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts, P-Channel TSOP-6 Features Ultra Low RDS(on) http //onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery Life Miniature TSOP-6 Surface Mount Package 1 AMPERE NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 20 VOLTS Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and RDS(on) = 90 mW PPAP Capable
Другие MOSFET... NVDD5894NL , NVE4153N , NVF2201N , NVF2955 , NVF3055-100 , NVF3055L108 , NVF5P03 , NVF6P02 , IRFP460 , NVGS3136P , NVGS3441 , NVGS3443 , NVGS4111P , NVGS4141N , NVGS5120P , NVJD4152P , NVJD4158C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3100A | AP30P06K | AP30P06 | AP30N04K | AP30N03K | AP30H80K | AP30H60K | AP30H220G | AP30H180K | AP30H150Q | AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S
Popular searches
c2078 transistor | 2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet







