PHD2N60E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHD2N60E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: SOT428
PHD2N60E Datasheet (PDF)
php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan
php2n50e phb2n50e phd2n50e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N50E, PHB2N50E, PHD2N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channe
Другие MOSFET... PHB80N06LT , PHB87N03LT , PHB8N50E , PHB8ND50E , PHB9N60E , PHD10N10E , PHD12N10E , PHD2N50E , AO4407 , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , PHD50N03LT , PHD55N03LT , PHD69N03LT , PHD6N10E , PHP10N10E .
