Справочник MOSFET. NVJS4151P

 

NVJS4151P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVJS4151P
   Маркировка: VTY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для NVJS4151P

 

 

NVJS4151P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  onsemi
 nvjs4151p.pdf

NVJS4151P NVJS4151P

NVJS4151PTrench Power MOSFET-20 V, -4.1 A, Single P-Channel, SC-88Features Leading Trench Technology for Low RDS(ON) Extending Battery Life SC-88 Small Outline (2x2 mm) for Maximum Circuit Boardhttp://onsemi.comUtilization, Same as SC-70-6 Gate Diodes for ESD ProtectionV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable55 mW @ -4.5 V These Devi

 9.1. Size:191K  onsemi
 ntjs4405n nvjs4405n.pdf

NVJS4151P NVJS4151P

NTJS4405N, NVJS4405NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-8825 V, 1.2 Ahttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)249 mW @ 4.5 V Higher Efficiency Extending Battery Life25 V 1.2 A299 mW @ 2.7 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 9.2. Size:126K  onsemi
 ntjs4405nt1 ntjs4405nt4 nvjs4405n.pdf

NVJS4151P NVJS4151P

NTJS4405N, NVJS4405NSmall Signal MOSFET25 V, 1.2 A, Single, N-Channel, SC-88Features Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on)http://onsemi.com Higher Efficiency Extending Battery LifeV(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVJS4405N249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant25 V 1.2 A299 mW @ 2.7

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top