Справочник MOSFET. NVLUS4C12N

 

NVLUS4C12N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVLUS4C12N
   Маркировка: AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.54 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.1 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 546 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6

 Аналог (замена) для NVLUS4C12N

 

 

NVLUS4C12N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  onsemi
 nvlus4c12n.pdf

NVLUS4C12N NVLUS4C12N

NVLUS4C12NPower MOSFET30 V, 10.7 A, Single N-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving withwww.onsemi.comExposed Drain Pads for Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Reduce Conduction LossesMOSFET Optimized Gate Charge to Reduce Switching LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top