NVLUS4C12N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVLUS4C12N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: UDFN6

Аналог (замена) для NVLUS4C12N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVLUS4C12N даташит

 ..1. Size:79K  onsemi
 nvlus4c12n.pdf pdf_icon

NVLUS4C12N

NVLUS4C12N Power MOSFET 30 V, 10.7 A, Single N-Channel, 2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 Package Features Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving with www.onsemi.com Exposed Drain Pads for Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Reduce Conduction Losses MOSFET Optimized Gate Charge to Reduce Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low C

Другие IGBT... NVJD4152P, NVJD4158C, NVJD4401N, NVJD5121N, NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, P55NF06, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL