Справочник MOSFET. NVLUS4C12N

 

NVLUS4C12N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVLUS4C12N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: UDFN6
 

 Аналог (замена) для NVLUS4C12N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVLUS4C12N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  onsemi
 nvlus4c12n.pdf pdf_icon

NVLUS4C12N

NVLUS4C12NPower MOSFET30 V, 10.7 A, Single N-Channel,2.0x2.0x0.55 mm mCoolt UDFN6 PackageFeatures Low Profile UDFN 2.0 x 2.0 x 0.55 mm for Board Space Saving withwww.onsemi.comExposed Drain Pads for Excellent Thermal Conduction Ultra Low RDS(on) to Reduce Conduction LossesMOSFET Optimized Gate Charge to Reduce Switching LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low C

Другие MOSFET... NVJD4152P , NVJD4158C , NVJD4401N , NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , IRFB4115 , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G , NVMD6N04 , NVMFD5483NL , NVMFD5485NL , NVMFD5489NL , NVMFD5852NL .

History: SL8205S

 

 
Back to Top

 


 
.