Справочник MOSFET. NVMD6N03R2G

 

NVMD6N03R2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVMD6N03R2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для NVMD6N03R2G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMD6N03R2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  onsemi
 ntmd6n03r2g nvmd6n03r2g.pdf pdf_icon

NVMD6N03R2G

NTMD6N03R2,NVMD6N03R2Power MOSFET30 V, 6A, Dual N--Channel SOIC--8http://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On--Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Life30 V 24 m @VGS =10V 6.0 A-- RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ)-- RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ)N-

 7.1. Size:95K  onsemi
 nvmd6n04.pdf pdf_icon

NVMD6N03R2G

NTMD6N04, NVMD6N04Power MOSFET40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Lifehttp://onsemi.com- RDS(on) = 0.027 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.034 W, VGS = 4.5 V (Typ)VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SOIC-8 Surface Mount Packa

Другие MOSFET... NVJD5121N , NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , AON7408 , NVMD6N04 , NVMFD5483NL , NVMFD5485NL , NVMFD5489NL , NVMFD5852NL , NVMFD5853N , NVMFD5853NL , NVMFD5873NL .

History: IPS135N03LG

 

 
Back to Top

 


 
.