NVMFD5485NL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMFD5485NL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm

Тип корпуса: DFN8

Аналог (замена) для NVMFD5485NL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFD5485NL даташит

 ..1. Size:76K  onsemi
 nvmfd5485nl.pdf pdf_icon

NVMFD5485NL

 0.1. Size:840K  1
 nvmfd5485nlt1g.pdf pdf_icon

NVMFD5485NL

 6.1. Size:200K  1
 nvmfd5483nlt1g.pdf pdf_icon

NVMFD5485NL

NVMFD5483NL MOSFET Power, Dual N-Channel 60 V, 36 mW, 24 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses 36 mW @ 10 V 175 C Operating Temperature 60 V 24 A NVMFD5483NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 45 mW @ 4

 6.2. Size:76K  onsemi
 nvmfd5483nl.pdf pdf_icon

NVMFD5485NL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, NVMD6N04, NVMFD5483NL, AON7408, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N, NVMFD5853NL, NVMFD5873NL, NVMFS4C01N, NVMFS4C03N, NVMFS4C05N