PHD3055E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHD3055E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT428

Аналог (замена) для PHD3055E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHD3055E даташит

 ..1. Size:105K  philips
 phd3055e php3055e 4.pdf pdf_icon

PHD3055E

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP3055E, PHD3055E FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 55 V Fast switching ID = 10.3 A g RDS(ON) 150 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode, field-effect power transistor in a plastic envelope using tr

 ..2. Size:317K  philips
 php3055e phd3055e.pdf pdf_icon

PHD3055E

PHP/PHD3055E TrenchMOS standard level FET Rev. 06 25 March 2002 Product data 1. Description N-channel standard level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP3055E in SOT78 (TO-220AB) PHD3055E in SOT428 (D-PAK). 2. Features Fast switching Low on-state resistance. 3. Applications DC to DC converters Switc

 ..3. Size:75K  philips
 phb3055e phd3055e php3055e 3.pdf pdf_icon

PHD3055E

Philips Semiconductors Preliminary specification TrenchMOS transistor PHP3055E, PHB3055E, PHD3055E FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 55 V Fast switching High thermal cycling performance ID = 10.5 A Low thermal resistance g RDS(ON) 150 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhance

 7.1. Size:54K  philips
 phd3055l 1.pdf pdf_icon

PHD3055E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD3055L Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 V mounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 12 A energy capability, stable

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHB87N03LT, PHB8N50E, PHB8ND50E, PHB9N60E, PHD10N10E, PHD12N10E, PHD2N50E, PHD2N60E, AON7506, PHD3N40E, PHD45N03LT, PHD50N03LT, PHD55N03LT, PHD69N03LT, PHD6N10E, PHP10N10E, PHP10N60E