NVMFD5873NL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: NVMFD5873NL
Маркировка: 5873NL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: DFN8
NVMFD5873NL Datasheet (PDF)
nvmfd5873nl.pdf

NVMFD5873NLPower MOSFET60 V, 13 mW, 58 A, Dual N-Channel LogicLevel, Dual SO-8FLFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designshttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5873NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical13 mW @ 10 VInspection60 V 58 A16.5
nvmfd5877nl.pdf

NVMFD5877NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 39 mW, 17 Ahttp://onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses39 mW @ 10 V NVMFD5877NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 17 AInspection60 mW @ 4.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Cap
nvmfd5875nl.pdf

NVMFD5875NLMOSFET Power, DualN-Channel, Logic Level,Dual SO8FL60 V, 33 mW, 22 Awww.onsemi.comFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low Capacitance to Minimize Driver Losses33 mW @ 10 V NVMFD5875NLWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical60 V 22 A45 mW @ 4.5 VInspection AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
nvmfd5853n.pdf

NVMFD5853N,NVMFD5853NWFPower MOSFET40 V, 10 mW, 53 A, Dual N-Channel, DualSO-8FLFeatureshttp://onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Designs Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFD5853NWF - Wettable Flanks Product40 V 10 mW @ 10 V 53 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capabl
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK2741 | 2SK320 | MMN9926 | GSM4516W | MGSF1N02ELT1 | JCS5N50VC | APT4F120K
History: 2SK2741 | 2SK320 | MMN9926 | GSM4516W | MGSF1N02ELT1 | JCS5N50VC | APT4F120K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor