NVMFS4C01N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMFS4C01N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.84 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5073 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm

Тип корпуса: SO-8FL

Аналог (замена) для NVMFS4C01N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMFS4C01N даташит

 ..1. Size:73K  onsemi
 nvmfs4c01n.pdf pdf_icon

NVMFS4C01N

NVMFS4C01N Power MOSFET 30 V, 0.9 mW, 319 A, Single N-Channel, Logic Level, SO-8FL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS4C01NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 0.9 mW @ 10 V Inspection 30 V 319 A

 6.1. Size:70K  onsemi
 nvmfs4c05n.pdf pdf_icon

NVMFS4C01N

NVMFS4C05N Power MOSFET 30 V, 116 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com NVMFS4C05NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 3.4 mW

 6.2. Size:74K  onsemi
 nvmfs4c03n.pdf pdf_icon

NVMFS4C01N

NVMFS4C03N Power MOSFET 30 V, 2.1 mW, 143 A, Single N-Channel Logic Level, SO-8FL Features http //onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses 2.1 mW @ 10 V 30 V NVMFS4C03NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 143 A 2.8 mW @ 4.5

 7.1. Size:119K  onsemi
 nvmfs4c302n.pdf pdf_icon

NVMFS4C01N

NVMFS4C302N Power MOSFET 30 V, 1.15 mW, 241 A, Single N-Channel Logic Level, SO-8FL Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVMFS4C302NWF - Wettable Flanks Option for Enhanced Optical 1.15 mW @ 10 V Inspection 30 V 241 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NVMD6N04, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N, NVMFD5853NL, NVMFD5873NL, IRLB4132, NVMFS4C03N, NVMFS4C05N, NVMFS5113PL, NVMFS5826NL, NVMFS5830NL, NVMFS5832NL, NVMFS5833N, NVMFS5834NL