NVMS5P02R2G - аналоги и даташиты транзистора

 

NVMS5P02R2G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NVMS5P02R2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: SOIC-8
 

 Аналог (замена) для NVMS5P02R2G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMS5P02R2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 nvms5p02 nvms5p02r2g.pdf pdf_icon

NVMS5P02R2G

NTMS5P02, NVMS5P02Power MOSFET-5.4 Amps, -20 VoltsP-Channel Enhancement-ModeSingle SOIC-8 Packagehttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS

 6.1. Size:134K  onsemi
 ntms5p02 nvms5p02.pdf pdf_icon

NVMS5P02R2G

NTMS5P02, NVMS5P02MOSFET Power, Single,P-Channel, EnhancementMode, SOIC-8-5.4 A, -20 Vhttp://onsemi.comFeaturesVDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on)Providing Higher Efficiency-20 V26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifi

Другие MOSFET... NVMFS5C410NL , NVMFS5C423NL , NVMFS5C442NL , NVMFS5C604NL , NVMFS5C612NL , NVMFS5C646NL , NVMFS5C670NL , NVMS5P02 , IRFZ24N , NVR1P02 , NVR4003N , NVR4501N , NVR5198NL , NVS4001N , NVS4409N , NVTA7002N , NVTFS4C05N .

History: 2SK4227JS | NP48N055DHE | LNF12N65 | 2SK3080 | LNF12N60

 

 
Back to Top

 


 
.