PHD50N03LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHD50N03LT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm
Тип корпуса: SOT428
Аналог (замена) для PHD50N03LT
PHD50N03LT Datasheet (PDF)
phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 16 m (VGS = 10 V)g Logic leve
phd50n06lt.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 50 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal
phd50n06lt.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor PHD50N06LTFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... PHB9N60E , PHD10N10E , PHD12N10E , PHD2N50E , PHD2N60E , PHD3055E , PHD3N40E , PHD45N03LT , IRFP450 , PHD55N03LT , PHD69N03LT , PHD6N10E , PHP10N10E , PHP10N60E , PHP11N50E , PHP125N06LT , PHP12N10E .
