NVS4409N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVS4409N  📄📄 

Маркировка: T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для NVS4409N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVS4409N даташит

 ..1. Size:123K  onsemi
 nts4409n nvs4409n.pdf pdf_icon

NVS4409N

NTS4409N, NVS4409N Small Signal MOSFET 25 V, 0.75 A, Single, N-Channel, ESD Protection, SC-70/SOT-323 Features http //onsemi.com Advance Planar Technology for Fast Switching, Low RDS(on) Higher Efficiency Extending Battery Life V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4409N 249 mW @ 4.5 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 25

Другие IGBT... NVMFS5C670NL, NVMS5P02, NVMS5P02R2G, NVR1P02, NVR4003N, NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, 2SK3568, NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N, NVTFS4C10N, NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL