NVTJD4001N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVTJD4001N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

Аналог (замена) для NVTJD4001N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTJD4001N даташит

 ..1. Size:192K  onsemi
 ntjd4001n nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

NTJD4001N, NVTJD4001N MOSFET Dual, N-Channel, Small Signal, SC-88 30 V, 250 mA Features www.onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC Q101 Qualified - NVTJD4001N 1.0 W @ 4.0 V 250 mA 30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.5 W @ 2.5 V Applicatio

 ..2. Size:62K  onsemi
 nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

Другие IGBT... NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N, NVTFS4C10N, NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, IRF2807, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, NX1029X, NX2020N2, NX2020P1, NX3020NAK