Справочник MOSFET. NVTJD4001N

 

NVTJD4001N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVTJD4001N
   Маркировка: TE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
 

 Аналог (замена) для NVTJD4001N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTJD4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  onsemi
 ntjd4001n nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

NTJD4001N, NVTJD4001NMOSFET Dual, N-Channel,Small Signal, SC-8830 V, 250 mAFeatureswww.onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC Q101 Qualified - NVTJD4001N 1.0 W @ 4.0 V250 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 VApplicatio

 ..2. Size:62K  onsemi
 nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

NTJD4001N, NVTJD4001NSmall Signal MOSFET30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88Features Low Gate Charge for Fast Switchingwww.onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max AEC Q101 Qualified - NVTJD4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.0 W @ 4.0 V250 mA30 VApplications1.5 W @ 2.5 V

Другие MOSFET... NVTA7002N , NVTFS4C05N , NVTFS4C06N , NVTFS4C08N , NVTFS4C10N , NVTFS4C13N , NVTFS4C25N , NVTFS5124PL , IRFB31N20D , NVTR01P02L , NVTR0202PL , NVTR4502P , NVTR4503N , NX1029X , NX2020N2 , NX2020P1 , NX3020NAK .

History: 2SK2084STL-E

 

 
Back to Top

 


 
.