Справочник MOSFET. NVTJD4001N

 

NVTJD4001N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVTJD4001N
   Маркировка: TE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTJD4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  onsemi
 ntjd4001n nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

NTJD4001N, NVTJD4001NMOSFET Dual, N-Channel,Small Signal, SC-8830 V, 250 mAFeatureswww.onsemi.com Low Gate Charge for Fast Switching Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC Q101 Qualified - NVTJD4001N 1.0 W @ 4.0 V250 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 VApplicatio

 ..2. Size:62K  onsemi
 nvtjd4001n.pdf pdf_icon

NVTJD4001N

NTJD4001N, NVTJD4001NSmall Signal MOSFET30 V, 250 mA, Dual N-Channel, SC-88Features Low Gate Charge for Fast Switchingwww.onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 ESD Protected GateV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max AEC Q101 Qualified - NVTJD4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.0 W @ 4.0 V250 mA30 VApplications1.5 W @ 2.5 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ID7509 | TPW120R800A | 2SK2499-Z | NVMFD5485NLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.