NX2020N2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NX2020N2  📄📄 

Маркировка: 2F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm

Тип корпуса: DFN2020MD-6

Аналог (замена) для NX2020N2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NX2020N2 даташит

 ..1. Size:273K  nxp
 nx2020n2.pdf pdf_icon

NX2020N2

NX2020N2 30 V, N-channel Trench MOSFET 20 January 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Very fast switching Small and leadless ultra

 8.1. Size:265K  nxp
 nx2020p1.pdf pdf_icon

NX2020N2

NX2020P1 30 V, single P-channel Trench MOSFET 22 January 2014 Product data sheet 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Small and leadless ultra thin SMD plastic p

Другие IGBT... NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, NVTJD4001N, NVTR01P02L, NVTR0202PL, NVTR4502P, NVTR4503N, NX1029X, 75N75, NX2020P1, NX3020NAK, NX7002AK, NX7002AKS, NX7002AKW, NX7002BK, NX7002BKM, NX7002BKMB