PH4530L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH4530L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH4530L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH4530L даташит

 ..1. Size:79K  philips
 ph4530l.pdf pdf_icon

PH4530L

PH4530L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 26 January 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low thermal resistance SO8 equivalent area footprint Logic level gate drive Low on-state resistance. 1.3 Applications

Другие IGBT... PH3230S, PH3330L, PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, PH4330L, IRF9540N, PH4830L, PH4840S, PH5030AL, PH5330E, PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L