PH5030AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH5030AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH5030AL
PH5030AL Datasheet (PDF)
ph5030al.pdf
PH5030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
ph5030al.pdf
PH5030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due
Другие MOSFET... PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , AO3400 , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L .
History: CEP60N10 | FQD7P06TF | CEF80N15
History: CEP60N10 | FQD7P06TF | CEF80N15
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312