Справочник MOSFET. PH5030AL

 

PH5030AL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH5030AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 61 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 91 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
 

 Аналог (замена) для PH5030AL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH5030AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  philips
 ph5030al.pdf pdf_icon

PH5030AL

PH5030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

 ..2. Size:220K  nxp
 ph5030al.pdf pdf_icon

PH5030AL

PH5030ALN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 03 12 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications.1.2 Features and benefits High efficiency due

Другие MOSFET... PH3830L , PH3855L , PH4025L , PH4030AL , PH4330L , PH4530L , PH4830L , PH4840S , AO3400 , PH5330E , PH5525L , PH6030AL , PH6030L , PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L .

History: APG077N01G | 2SK4067I | AFN2318 | IXFV18N90PS | AP9579GM | AOWF12T60P | CEF740G

 

 
Back to Top

 


 
.