PH6030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH6030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH6030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH6030L даташит

 ..1. Size:156K  philips
 ph6030l.pdf pdf_icon

PH6030L

PH6030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features and benefits Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC converters Logic level compatibile Very low switching an

 ..2. Size:156K  nxp
 ph6030l.pdf pdf_icon

PH6030L

PH6030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features and benefits Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC converters Logic level compatibile Very low switching an

 8.1. Size:218K  philips
 ph6030al.pdf pdf_icon

PH6030L

PH6030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.2. Size:218K  nxp
 ph6030al.pdf pdf_icon

PH6030L

PH6030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 05 12 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PH4330L, PH4530L, PH4830L, PH4840S, PH5030AL, PH5330E, PH5525L, PH6030AL, SPP20N60C3, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L