PH9030L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH9030L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH9030L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH9030L даташит

 ..1. Size:155K  philips
 ph9030l.pdf pdf_icon

PH9030L

PH9030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and b

 ..2. Size:155K  nxp
 ph9030l.pdf pdf_icon

PH9030L

PH9030L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 29 July 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and b

 8.1. Size:163K  philips
 ph9030al.pdf pdf_icon

PH9030L

PH9030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 07 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

 8.2. Size:163K  nxp
 ph9030al.pdf pdf_icon

PH9030L

PH9030AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 07 14 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing and consumer applications. 1.2 Features and benefits High efficiency due

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, IRFB3607, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T