PH955L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PH955L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
Тип корпуса: LFPAK
Аналог (замена) для PH955L
PH955L Datasheet (PDF)
ph955l.pdf
PH955LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 19 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Features an
Другие MOSFET... PH6325L , PH7030AL , PH7030L , PH8030L , PH8230E , PH9025L , PH9030AL , PH9030L , AON6380 , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , PHM18NQ15T , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T .
History: FQB17N08LTM
History: FQB17N08LTM
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118



