PH955L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH955L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 441 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH955L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH955L даташит

 ..1. Size:190K  nxp
 ph955l.pdf pdf_icon

PH955L

PH955L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 19 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features an

Другие IGBT... PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, AON6380, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T