Справочник MOSFET. PH9930L

 

PH9930L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PH9930L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: LFPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PH9930L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  nxp
 ph9930l.pdf pdf_icon

PH9930L

PH9930LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 23 August 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conductionconverters losses

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TK19H50C | PNMET20V06E | SPD04N60C3 | OSG55R074HSZF | 2SK1501 | AP50WN270IN | FDC654P

 

 
Back to Top

 


 
.