PH9930L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH9930L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH9930L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH9930L даташит

 ..1. Size:87K  nxp
 ph9930l.pdf pdf_icon

PH9930L

PH9930L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 23 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses

Другие IGBT... PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, PH955L, IRF530, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T