PHK4NQ20T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHK4NQ20T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT96-1

Аналог (замена) для PHK4NQ20T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK4NQ20T даташит

 ..1. Size:233K  philips
 phk4nq20t.pdf pdf_icon

PHK4NQ20T

PHK4NQ20T TrenchMOS standard level FET M3D315 Rev. 01 20 January 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8). 1.2 Features Low on-state resistance Surface mount package. 1.3 Applications DC-DC primary side switch

 8.1. Size:84K  philips
 phk4nq10t.pdf pdf_icon

PHK4NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHK4NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Low on-state resistance d Fast switching VDS = 100 V Low profile surface mount package ID = 4 A g RDS(ON) 70 m (VGS = 10 V) s GENERAL DESCRIPTION PINNING SOT96-1 (SO8) 8 7 6 5 N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTION field-effect transi

Другие IGBT... PH8030L, PH8230E, PH9025L, PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, NCEP15T14, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, PHM18NQ15T, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ