Справочник MOSFET. PHK4NQ20T

 

PHK4NQ20T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHK4NQ20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 26 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT96-1

 Аналог (замена) для PHK4NQ20T

 

 

PHK4NQ20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  philips
 phk4nq20t.pdf

PHK4NQ20T PHK4NQ20T

PHK4NQ20TTrenchMOS standard level FETM3D315Rev. 01 20 January 2003 Product data1. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.Product availability:PHK4NQ20T in SOT96-1 (SO8).1.2 Features Low on-state resistance Surface mount package.1.3 Applications DC-DC primary side switch

 8.1. Size:84K  philips
 phk4nq10t.pdf

PHK4NQ20T PHK4NQ20T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor PHK4NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Low on-state resistance d Fast switching VDS = 100 V Low profile surface mountpackage ID = 4 AgRDS(ON) 70 m (VGS = 10 V)sGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT96-1 (SO8)8 7 6 5N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONfield-effect transi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top