QH8MA3 - аналоги и даташиты транзистора

 

QH8MA3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: QH8MA3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QH8MA3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QH8MA3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4499K  rohm
 qh8ma3.pdf pdf_icon

QH8MA3

QH8MA3Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 29m 48m ID 7.0A 5.5A PD 2.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free

 9.1. Size:4739K  rohm
 qh8ma4.pdf pdf_icon

QH8MA3

QH8MA4Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 16.0m 28.6m ID 9.0A 8.0A PD 2.6W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-f

 9.2. Size:4311K  rohm
 qh8ma2.pdf pdf_icon

QH8MA3

QH8MA2Datasheet30V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinel TSMT8Symbol Tr1:Nch Tr2:PchVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 35m 80m ID 4.5A 3A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plati

Другие MOSFET... PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW , QH8KA1 , QH8KA2 , QH8MA2 , 7N60 , QH8MA4 , QJD1210006 , QJD1210007 , QJD1210010 , QJD1210011 , QM0004D , QM0004G , QM0004P .

History: OSG60R260DF | HY4504P | AO8830 | K1109 | HY4504W | NCE30H15BG

 

 
Back to Top

 


 
.