QM0020P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM0020P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 163 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для QM0020P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM0020P даташит

 ..1. Size:304K  ubiq
 qm0020p.pdf pdf_icon

QM0020P

QM0020P N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM0020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 5.7m 163A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020P meet the RoHS and Green Product requirement

 8.1. Size:347K  ubiq
 qm0020ap.pdf pdf_icon

QM0020P

QM0020AP N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM0020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 8.5m 128A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020AP meet the RoHS and Green Product requirement

Другие IGBT... QM0008K, QM0008U, QM0016D, QM0016F, QM0016P, QM0016S, QM0018AD, QM0020AP, EMB04N03H, QM01N65D, QM01N65L, QM01N65U, QM02N65D, QM02N65U, QM03N65D, QM03N65F, QM04N60F