QM2411V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QM2411V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для QM2411V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QM2411V даташит

 ..1. Size:352K  ubiq
qm2411v.pdfpdf_icon

QM2411V

QM2411V P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2411V is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 80m -3.2A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2411V meet the RoHS and Green Product requ

 8.1. Size:349K  ubiq
qm2411j.pdfpdf_icon

QM2411V

QM2411J P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2411J is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 80m -3.6A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2411J meet the RoHS and Green Product req

 8.2. Size:311K  ubiq
qm2411k.pdfpdf_icon

QM2411V

QM2411K P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2411K is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 80m -3A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2411K meet the RoHS and Green Product requir

 8.3. Size:338K  ubiq
qm2411g.pdfpdf_icon

QM2411V

QM2411G P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM2411G is the highest performance trench P-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge -20V 80m -3.6A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The QM2411G meet the RoHS and Green Product req

Другие IGBT... QM2410J, QM2410K, QM2410S, QM2410V, QM2411G, QM2411J, QM2411K, QM2411SN8, NCEP15T14, QM2413K, QM2413V, QM2414K, QM2414V, QM2415K, QM2415SM8, QM2415SN8, QM2416C1