PHP50N06LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP50N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP50N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP50N06LT даташит

 ..1. Size:65K  philips
 php50n06lt 3.pdf pdf_icon

PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 50 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V) g Low thermal

 6.1. Size:54K  philips
 php50n06 1.pdf pdf_icon

PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP50N06 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 52 A Switched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 150 W (SMPS), mo

 7.1. Size:111K  philips
 phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf pdf_icon

PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 16 m (VGS = 10 V) g Logic leve

 7.2. Size:49K  philips
 php50n03t 1.pdf pdf_icon

PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 50 A features very low on-state r

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHP3N40E, PHP3N50E, PHP3N60E, PHP42N03LT, PHP44N06LT, PHP4N60E, PHP4ND40E, PHP50N03LT, 7N60, PHP55N03LT, PHP60N06LT, PHP65N06LT, PHP69N03LT, PHP6N10E, PHP6N50E, PHP6N60E, PHP6ND50E