Справочник MOSFET. PHP50N06LT

 

PHP50N06LT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHP50N06LT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SOT78

 Аналог (замена) для PHP50N06LT

 

 

PHP50N06LT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:65K  philips
 php50n06lt 3.pdf

PHP50N06LT PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N06LT, PHB50N06LT, PHD50N06LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 Vd Very low on-state resistance Fast switching ID = 50 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

 6.1. Size:54K  philips
 php50n06 1.pdf

PHP50N06LT PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP50N06 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 VThe device is intended for use in ID Drain current (DC) 52 ASwitched Mode Power Supplies Ptot Total power dissipation 150 W(SMPS), mo

 7.1. Size:111K  philips
 phb50n03lt phd50n03lt php50n03lt 7.pdf

PHP50N06LT PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP50N03LT, PHB50N03LT Logic level FET PHD50N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 48 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 16 m (VGS = 10 V)g Logic leve

 7.2. Size:49K  philips
 php50n03t 1.pdf

PHP50N06LT PHP50N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP50N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 50 Afeatures very low on-state r

Другие MOSFET... PHP3N40E , PHP3N50E , PHP3N60E , PHP42N03LT , PHP44N06LT , PHP4N60E , PHP4ND40E , PHP50N03LT , HY1906P , PHP55N03LT , PHP60N06LT , PHP65N06LT , PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E .

 

 
Back to Top