PHP60N06LT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP60N06LT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для PHP60N06LT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP60N06LT даташит

 ..1. Size:58K  philips
 php60n06lt 2.pdf pdf_icon

PHP60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 ..2. Size:70K  philips
 php60n06lt phb60n06lt.pdf pdf_icon

PHP60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06LT, PHB60N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 58 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 20 m (VGS = 5 V) g Low thermal resistance

 6.1. Size:52K  philips
 php60n06t 1.pdf pdf_icon

PHP60N06LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP60N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 58 A features very low on-state r

Другие IGBT... PHP3N60E, PHP42N03LT, PHP44N06LT, PHP4N60E, PHP4ND40E, PHP50N03LT, PHP50N06LT, PHP55N03LT, IRFZ46N, PHP65N06LT, PHP69N03LT, PHP6N10E, PHP6N50E, PHP6N60E, PHP6ND50E, PHP7N60E, PHP80N06LT