Справочник MOSFET. PHP8N50E

 

PHP8N50E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PHP8N50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 147 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT78

 Аналог (замена) для PHP8N50E

 

 

PHP8N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  philips
php8n50e phb8n50e phw8n50e.pdf

PHP8N50E
PHP8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTIONN-c

 9.1. Size:90K  philips
php8nd50e phb8nd50e phw8nd50e.pdf

PHP8N50E
PHP8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

 9.2. Size:72K  philips
php8nd50e 3.pdf

PHP8N50E
PHP8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

 9.3. Size:59K  philips
php8n20e 2.pdf

PHP8N50E
PHP8N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP8N20E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 200 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 9.2 Ablocking voltage, fast switching and Ptot Total power dis

Другие MOSFET... PHP69N03LT , PHP6N10E , PHP6N50E , PHP6N60E , PHP6ND50E , PHP7N60E , PHP80N06LT , PHP87N03LT , RU7088R , PHP8ND50E , PHT11N06LT , PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E .

 

 
Back to Top