Справочник MOSFET. QS5U23

 

QS5U23 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS5U23
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TSMT5
 

 Аналог (замена) для QS5U23

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5U23 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:74K  rohm
 qs5u23.pdf pdf_icon

QS5U23

QS5U23 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U23 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

 9.1. Size:66K  rohm
 qs5u26.pdf pdf_icon

QS5U23

QS5U26 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U26 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low volta

 9.2. Size:75K  rohm
 qs5u21.pdf pdf_icon

QS5U23

QS5U21 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U21 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a 0~0.1(1) (2) (3)Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching.

 9.3. Size:80K  rohm
 qs5u28.pdf pdf_icon

QS5U23

QS5U28 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U28 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.90.851.90.70.95 0.95(5) (4) Features 1) The QS5U28 combines Pch MOS FET with 0~0.1(1) (2) (3)a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.162) Low on-state resistance with fast switching. 3)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , MMIS60R580P , QS5U26 , QS5U27 , QS5U33 , QS5U34 , QS5U36 , QS6J11 , QS6K1 , QS6K21 .

History: DMP6180SK3-13 | AM20N10-130D | NTD4810N-1G | APT1201R5SVFRG | KHB2D0N60P | CS4N65A4TDY | BRF3N80

 

 
Back to Top

 


 
.