QS5U26 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS5U26

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TSMT5

Аналог (замена) для QS5U26

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS5U26 даташит

 ..1. Size:66K  rohm
 qs5u26.pdf pdf_icon

QS5U26

QS5U26 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET QS5U26 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with 0 0.1 (1) (2) (3) a Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low volta

 9.1. Size:75K  rohm
 qs5u21.pdf pdf_icon

QS5U26

QS5U21 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U21 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U21 combines Pch MOS FET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching.

 9.2. Size:80K  rohm
 qs5u28.pdf pdf_icon

QS5U26

QS5U28 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U28 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U28 combines Pch MOS FET with 0 0.1 (1) (2) (3) a Schottky barrier diode in TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching. 3)

 9.3. Size:74K  rohm
 qs5u23.pdf pdf_icon

QS5U26

QS5U23 Transistor 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS5U23 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT5 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.7 0.95 0.95 (5) (4) Features 1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a 0 0.1 (1) (2) (3) Schottky barrier diode in a TSMT5 package. 0.4 0.16 2) Low on-state resistance with fast switching.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... QN7002, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23, IRFZ48N, QS5U27, QS5U33, QS5U34, QS5U36, QS6J11, QS6K1, QS6K21, QS6M3