Справочник MOSFET. QS6U24

 

QS6U24 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS6U24

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 25 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6U24

 

 

QS6U24 Datasheet (PDF)

1.1. qs6u24.pdf Size:66K _update_mosfet

QS6U24
QS6U24

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switchi

1.2. qs6u24.pdf Size:80K _rohm

QS6U24
QS6U24

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switching.

 5.1. qs6u22.pdf Size:68K _update_mosfet

QS6U24
QS6U24

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

5.2. qs6u22.pdf Size:82K _rohm

QS6U24
QS6U24

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top