Справочник MOSFET. QS6U24

 

QS6U24 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS6U24

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Выходная емкость (Cd): 25 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для QS6U24

 

QS6U24 Datasheet (PDF)

1.1. qs6u24.pdf Size:66K _update_mosfet

QS6U24 QS6U24

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switchi

1.2. qs6u24.pdf Size:80K _rohm

QS6U24 QS6U24

QS6U24 Transistor 4V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U24 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a 0~0.1 Schottky barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resisternce with a fast switching.

 5.1. qs6u22.pdf Size:68K _update_mosfet

QS6U24 QS6U24

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

5.2. qs6u22.pdf Size:82K _rohm

QS6U24 QS6U24

QS6U22 Transistors 2.5V Drive Pch+SBD MOS FET QS6U22 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TSMT6 Schottky Barrier DIODE 1.0MAX 2.9 0.85 1.9 0.95 0.95 0.7 (6) (5) (4) Features 1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky 0~0.1 barrier diode in a TSMT6 package. (1) (2) (3) 1pin mark 2) Low on-state resistance with fast switching.

Другие MOSFET... 2P7145B-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7172A , 2P7172A-5 , 2P7233A , 2P7233A-5 , 2P7209A , 2P7234A , IRF1010E , SI2300 , SI2302 , SI2312 , XP151A13COMR , AO3400 , PT8205 , PT8205A , PT8822 .

 

 
Back to Top