QS8J13 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QS8J13
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 750 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QS8J13
QS8J13 Datasheet (PDF)
qs8j13.pdf

QS8J13Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS-12VRDS(on)(Max.) 22m ID 5.5A PD1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPack
qs8j11.pdf

QS8J11Datasheet-12V Pch +Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 43m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S protection diode.4) Small surface mount package(TSMT8)5) Pb-free
qs8j12.pdf

QS8J12Datasheet-12V Pch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS -12VRDS(on)(Max.) 29m ID 4.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) -1.5V Drive.3) Built-in G-S Protection Diode.4) Small Surface Mount Package (TSMT8).5) Pb-fre
Другие MOSFET... QS6K21 , QS6M3 , QS6M4 , QS6U22 , QS6U24 , QS8F2 , QS8J11 , QS8J12 , IRF730 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , QS8K21 , QS8M11 .
History: QM3001S | ECH8667 | 2SK3160
History: QM3001S | ECH8667 | 2SK3160



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet