Справочник MOSFET. QS8J13

 

QS8J13 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: QS8J13

Маркировка: J13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 60 nC

Время нарастания (tr): 100 ns

Выходная емкость (Cd): 750 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8J13

 

QS8J13 Datasheet (PDF)

1.1. qs8j13.pdf Size:2759K _update_mosfet

QS8J13 QS8J13

QS8J13 Datasheet 　　-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT8 VDSS -12V 　 RDS(on)(Max.) 22mΩ 　 　 ID ±5.5A 　 　 PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPack

5.1. qs8j12.pdf Size:2604K _update_mosfet

QS8J13 QS8J13

QS8J12 Datasheet 　　-12V Pch+Pch Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT8 VDSS -12V 　 RDS(on)(Max.) 29mΩ 　 　 ID ±4.5A 　 　 PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S Protection Diode. 4) Small Surface Mount Package (TSMT8). 5) Pb-fre

5.2. qs8j11.pdf Size:2308K _update_mosfet

QS8J13 QS8J13

QS8J11 Datasheet 　　-12V Pch +Pch Middle Power MOSFET 　　 lOutline l 　 　 　 　 　 　 TSMT8 VDSS -12V 　 RDS(on)(Max.) 43mΩ 　 　 ID ±3.5A 　 　 PD 1.5W 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) -1.5V Drive. 3) Built-in G-S protection diode. 4) Small surface mount package(TSMT8) 5) Pb-free

 5.3. qs8j12.pdf Size:1188K _rohm

QS8J13 QS8J13

Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J12 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) TSMT8 Silicon P-channel MOSFET (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Small high power package. 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : J12 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TCR B

5.4. qs8j11.pdf Size:1251K _rohm

QS8J13 QS8J13

Data Sheet 1.5V Drive Pch + Pch MOSFET QS8J11 ? Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOSFET TSMT8 (8) (7) (6) (5) ?Features 1) Low On-resistance. (1) (2) (3) (4) 2) Small high power package. 3) Low voltage drive(1.5V drive). Abbreviated symbol : J11 ? Application Switching ? Packaging specifications ? Inner circuit Package Taping (8) (7) (6) (5) Type Code TCR Bas

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