QS8K21 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QS8K21
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: TSMT8
Аналог (замена) для QS8K21
QS8K21 Datasheet (PDF)
qs8k21.pdf

QS8K21Datasheet45V Nch + Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 45VRDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS
qs8k2.pdf

QS8K2Datasheet30V Nch +Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS
Другие MOSFET... QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , IRF540N , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 , RFH25N18 , RFH25N20 , RFH25P08 , RFH25P10 , RFH35N08 .
History: IXTP3N110 | RFK25P08 | APT5024AVR | IXTP60N10T | IXTP3N100P | APT802R4KN | RFH45N05
History: IXTP3N110 | RFK25P08 | APT5024AVR | IXTP60N10T | IXTP3N100P | APT802R4KN | RFH45N05



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d