Справочник MOSFET. QS8K21

 

QS8K21 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QS8K21
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
 

 Аналог (замена) для QS8K21

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8K21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2406K  rohm
 qs8k21.pdf pdf_icon

QS8K21

QS8K21Datasheet45V Nch + Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 45VRDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

 9.1. Size:2378K  rohm
 qs8k2.pdf pdf_icon

QS8K21

QS8K2Datasheet30V Nch +Nch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8VDSS 30VRDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S protection diode.3) Small surface mount package(TSMT8)4) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие MOSFET... QS8J12 , QS8J13 , QS8J2 , QS8J4 , QS8J5 , QS8K11 , QS8K13 , QS8K2 , IRF540 , QS8M11 , QS8M13 , QS8M51 , RFH25N18 , RFH25N20 , RFH25P08 , RFH25P10 , RFH35N08 .

History: MTW33N10E | JCS7HN65B | IXTA88N085T | PSMN7R0-30YLC | 2SK1567 | RSS105N03FU6TB | APTC60DDAM45CT1G

 

 
Back to Top

 


 
.