QS8K21 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QS8K21

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QS8K21

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QS8K21 даташит

 ..1. Size:2406K  rohm
 qs8k21.pdf pdf_icon

QS8K21

QS8K21 Datasheet 45V Nch + Nch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 45V RDS(on)(Max.) 53m ID 4A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

 9.1. Size:2378K  rohm
 qs8k2.pdf pdf_icon

QS8K21

QS8K2 Datasheet 30V Nch +Nch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 54m ID 3.5A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small surface mount package(TSMT8) 4) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие IGBT... QS8J12, QS8J13, QS8J2, QS8J4, QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, IRF540N, QS8M11, QS8M13, QS8M51, RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08