RFH25N18 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFH25N18

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 180 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-218AC

Аналог (замена) для RFH25N18

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFH25N18 даташит

 ..1. Size:80K  njs
rfh25n18 rfh25n20.pdfpdf_icon

RFH25N18

 9.1. Size:86K  njs
rfh25p08 rfh25p10 rfk25p08 rfk25p10.pdfpdf_icon

RFH25N18

Другие IGBT... QS8J5, QS8K11, QS8K13, QS8K2, QS8K21, QS8M11, QS8M13, QS8M51, IRFZ44, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08