RFH35N10 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFH35N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 225 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO-218AC

Аналог (замена) для RFH35N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFH35N10 даташит

 ..1. Size:80K  njs
 rfh35n08 rfh35n10.pdf pdf_icon

RFH35N10

Другие IGBT... QS8M11, QS8M13, QS8M51, RFH25N18, RFH25N20, RFH25P08, RFH25P10, RFH35N08, IRF640N, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08, RFK25P10, RFK35N08, RFK35N10, RFM10N12, RFM10N15