RFM10N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFM10N12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для RFM10N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM10N12 даташит

 ..1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFM10N12

Другие IGBT... RFH35N08, RFH35N10, RFH45N05, RFH45N06, RFK25P08, RFK25P10, RFK35N08, RFK35N10, IRFB4115, RFM10N15, RFM12N08, RFM12N08L, RFM12N10, RFM12N10L, RFM12N18, RFM12N20, RFM12P08