RFM10N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RFM10N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-204AA
Аналог (замена) для RFM10N15
RFM10N15 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... RFH35N10 , RFH45N05 , RFH45N06 , RFK25P08 , RFK25P10 , RFK35N08 , RFK35N10 , RFM10N12 , IRFP250N , RFM12N08 , RFM12N08L , RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a