RFM10N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: RFM10N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-204AA
Аналог (замена) для RFM10N15
RFM10N15 Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... RFH35N10 , RFH45N05 , RFH45N06 , RFK25P08 , RFK25P10 , RFK35N08 , RFK35N10 , RFM10N12 , 2N7000 , RFM12N08 , RFM12N08L , RFM12N10 , RFM12N10L , RFM12N18 , RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 .
History: STN4850
History: STN4850
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a