Справочник MOSFET. RFM12N08L

 

RFM12N08L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RFM12N08L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 70 ns

Выходная емкость (Cd): 325 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-204AA

Аналог (замена) для RFM12N08L

 

 

RFM12N08L Datasheet (PDF)

1.1. rfm12n08l rfm12n10l rfp12n08l.pdf Size:95K _update_mosfet

RFM12N08L
RFM12N08L



2.1. rfm12n08 rfm12n10 rfp12n08 rfp12n10.pdf Size:94K _update_mosfet

RFM12N08L
RFM12N08L



 4.1. rfm12n18 rfm12n20 rfp12n18 rfp12n20.pdf Size:68K _update_mosfet

RFM12N08L
RFM12N08L



Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top