Справочник MOSFET. RFM25N06

 

RFM25N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM25N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM25N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  general electric
 rfm25n05 rfm25n06.pdf pdf_icon

RFM25N06

 9.1. Size:163K  international rectifier
 irfm250.pdf pdf_icon

RFM25N06

PD - 90554EIRFM250JANTX2N7225JANTXV2N7225POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM250 0.100 27.4AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:60K  njs
 irfm254.pdf pdf_icon

RFM25N06

 9.3. Size:41K  semelab
 irfm250d.pdf pdf_icon

RFM25N06

IRFM250DMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFETVDSS 200VID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100 FEATURES NCHANNEL MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SSF3402 | KPE4403A2 | IRC330 | R6524KNX | TPP70R360M | AP9465AGH | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.