Справочник MOSFET. RFM25N06

 

RFM25N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFM25N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-204AA
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFM25N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:239K  general electric
 rfm25n05 rfm25n06.pdf pdf_icon

RFM25N06

 9.1. Size:163K  international rectifier
 irfm250.pdf pdf_icon

RFM25N06

PD - 90554EIRFM250JANTX2N7225JANTXV2N7225POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA) 200V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM250 0.100 27.4AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-

 9.2. Size:60K  njs
 irfm254.pdf pdf_icon

RFM25N06

 9.3. Size:41K  semelab
 irfm250d.pdf pdf_icon

RFM25N06

IRFM250DMECHANICAL DATANCHANNELDimensions in mm (inches)POWER MOSFETVDSS 200VID(cont) 27.4A RDS(on) 0.100 FEATURES NCHANNEL MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFM12N20 , RFM12P08 , RFM12P10 , RFM15N05L , RFM15N06L , RFM15N12 , RFM15N15 , RFM25N05 , AO3400 , RFM5P12 , RFM5P15 , RFM8P08 , RFM8P10 , RFP10N12 , RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L .

History: SIR844DP | 2SK693 | P0270ATFS

 

 
Back to Top

 


 
.