RFP10N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RFP10N12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для RFP10N12

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP10N12 даташит

 ..1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFP10N12

 9.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFP10N12

RFD10P03L, RFD10P03LSM, S E M I C O N D U C T O R RFP10P03L 10A, 30V, 0.200 , Logic Level P-Channel Power MOSFET May 1997 Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac- tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200 feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti- mum utilization of silicon, result

Другие IGBT... RFM15N12, RFM15N15, RFM25N05, RFM25N06, RFM5P12, RFM5P15, RFM8P08, RFM8P10, SKD502T, RFP10N15, RFP12N08, RFP12N08L, RFP12N10, RFP12N18, RFP12N20, RFP15N12, RFP15N15