Справочник MOSFET. RFP10N12

 

RFP10N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP10N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для RFP10N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP10N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFP10N12

 9.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFP10N12

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

Другие MOSFET... RFM15N12 , RFM15N15 , RFM25N05 , RFM25N06 , RFM5P12 , RFM5P15 , RFM8P08 , RFM8P10 , IRF9540N , RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L , RFP12N10 , RFP12N18 , RFP12N20 , RFP15N12 , RFP15N15 .

History: 2SJ402 | BRCS080N02ZJ | SQ2337ES | 2SK346 | AP6901GSM-HF | JCS12N65CEI | AON7518

 

 
Back to Top

 


 
.