Справочник MOSFET. RFP10N12

 

RFP10N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP10N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 165 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP10N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:84K  njs
 rfm10n12 rfm10n15 rfp10n12 rfp10n15.pdf pdf_icon

RFP10N12

 9.1. Size:178K  harris semi
 rfd10p03l-sm rfp10p03l.pdf pdf_icon

RFP10N12

RFD10P03L, RFD10P03LSM,S E M I C O N D U C T O RRFP10P03L10A, 30V, 0.200, Logic LevelP-Channel Power MOSFETMay 1997Features Description 10A, 30V These products are P-Channel power MOSFETs manufac-tured using the MegaFET process. This process, which uses rDS(ON) = 0.200feature sizes approaching those of LSI circuits, gives opti-mum utilization of silicon, result

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HAT3021R | RU1Z120R | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SQ3457EV | 12N60G-TF1-T | IRFP242R

 

 
Back to Top

 


 
.