Справочник MOSFET. PHW8ND50E

 

PHW8ND50E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHW8ND50E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT429
 

 Аналог (замена) для PHW8ND50E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHW8ND50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  philips
 php8nd50e phb8nd50e phw8nd50e.pdf pdf_icon

PHW8ND50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

 9.1. Size:90K  philips
 php8n50e phb8n50e phw8n50e.pdf pdf_icon

PHW8ND50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTIONN-c

Другие MOSFET... PHT6N03LT , PHT6N06LT , PHT8N06LT , PHW11N50E , PHW14N50E , PHW20N50E , PHW7N60E , PHW8N50E , IRF540 , PHW9N60E , PHX2N50E , PHX2N60E , PHX3N40E , PHX3N50E , PHX3N60E , PHX4N60E , PHX4ND40E .

History: SML7516DFN

 

 
Back to Top

 


 
.