RFP2N08 - аналоги и даташиты транзистора

 

RFP2N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RFP2N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для RFP2N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP2N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  njs
 rfp2n08 rfp2n10.pdf pdf_icon

RFP2N08

 0.1. Size:40K  intersil
 rfp2n08l rfp2n10l.pdf pdf_icon

RFP2N08

RFP2N08L, RFP2N10LData Sheet July 1999 File Number 2872.22A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 2A, 80V and 100VThe RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 1.050mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5V Gate Drivesdesigned for use with logic level (5V) driving sources i

 9.1. Size:342K  fairchild semi
 rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N08

RFP2N20LData Sheet January 20022A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 200VThe RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Driveswith logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom

 9.2. Size:87K  njs
 rfl1n18l rfl1n20l rfp2n18l rfp2n20l.pdf pdf_icon

RFP2N08

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L , RFP12N10 , RFP12N18 , RFP12N20 , RFP15N12 , RFP15N15 , STP80NF70 , RFP2N10 , RFP5P12 , RFP5P15 , RFP8P08 , RHK003N06FRA , RHK003N06T146 , RHK005N03FRA , RHK005N03T146 .

 

 
Back to Top

 


 
.