RFP2N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: RFP2N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
RFP2N08 Datasheet (PDF)
rfp2n08l rfp2n10l.pdf

RFP2N08L, RFP2N10LData Sheet July 1999 File Number 2872.22A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 2A, 80V and 100VThe RFP2N08L and RFP2N10L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 1.050mode silicon gate power field effect transistors specifically Design Optimized for 5V Gate Drivesdesigned for use with logic level (5V) driving sources i
rfp2n20l.pdf

RFP2N20LData Sheet January 20022A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, FeaturesN-Channel Power MOSFET 2A, 200VThe RFP2N20L N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 3.500power field effect transistor is specifically designed for use Design Optimized for 5V Gate Driveswith logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, autom
Другие MOSFET... RFP10N15 , RFP12N08 , RFP12N08L , RFP12N10 , RFP12N18 , RFP12N20 , RFP15N12 , RFP15N15 , AO4407 , RFP2N10 , RFP5P12 , RFP5P15 , RFP8P08 , RHK003N06FRA , RHK003N06T146 , RHK005N03FRA , RHK005N03T146 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235