RHK005N03T146 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RHK005N03T146  📄📄 

Маркировка: KU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: SMT3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RHK005N03T146

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RHK005N03T146 даташит

 ..1. Size:51K  rohm
 rhk005n03t146.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol KU Packaging specifications

 5.1. Size:911K  rohm
 rhk005n03fra.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03FRA RHK005N03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03FRA RHK005N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbrevia

 5.2. Size:53K  rohm
 rhk005n03.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol KU Packaging specifications

 9.1. Size:913K  rohm
 rhk003n06fra.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK003N06FRA RHK003N06 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOS FET RHK003N06FRA RHK003N06 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOS FET SMT3 2.9 1.1 0.4 0.8 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1) 0.95 0.95 0.15 1.9 (1)Source Applications Each lead has same dimensions (2)Gate Switching (3)Drain Abbreviated symbol

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... RFP2N08, RFP2N10, RFP5P12, RFP5P15, RFP8P08, RHK003N06FRA, RHK003N06T146, RHK005N03FRA, CS150N04A8, RHP020N06T100, RHP030N03T100, RHU002N06, RHU002N06FRA, RHU003N03, RHU003N03FRA, RJJ0601JPE, RJJ0601JPN