Справочник MOSFET. RHK005N03T146

 

RHK005N03T146 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RHK005N03T146
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: SMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RHK005N03T146 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:51K  rohm
 rhk005n03t146.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1)0.95 0.950.15 1.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Drain Abbreviated symbol : KU Packaging specifications

 5.1. Size:911K  rohm
 rhk005n03fra.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03FRARHK005N03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RHK005N03FRARHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1)0.95 0.950.151.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Drain Abbrevia

 5.2. Size:53K  rohm
 rhk005n03.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK005N03 Transistors 4V Drive Nch MOS FET RHK005N03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) High speed switching. (2) (1)0.95 0.950.15 1.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Drain Abbreviated symbol : KU Packaging specifications

 9.1. Size:913K  rohm
 rhk003n06fra.pdf pdf_icon

RHK005N03T146

RHK003N06FRARHK003N06TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOS FET RHK003N06FRARHK003N06 Structure External dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOS FET SMT32.9 1.10.4 0.8 Features (3)1) Low On-resistance. 2) 4V drive. (2) (1)0.95 0.950.151.9(1)Source ApplicationsEach lead has same dimensions(2)GateSwitching (3)Drain Abbreviated symbol :

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCEP050N85G | SI1023CX | IXUN350N10 | BLS65R560-D | IRF1010EZSPBF | NCE60N390K | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.